Samsung confie une partie de la HBM4E à TSMC

Samsung a accepté la demande de Nvidia de confier à TSMC la fabrication d'une partie de sa mémoire à large bande passante HBM4E personnalisée, commercialisée sous le nom de NVHBM, à l'aide de son procédé de gravure en 3 nm.

La demande de Nvidia et le rôle de la NVHBM

Nvidia a demandé à ses trois principaux fournisseurs de HBM de fabriquer certains éléments de ces composants mémoire à partir du procédé 3 nm de TSMC, afin de garantir des performances homogènes et de simplifier leur validation auprès des différents fournisseurs. Les puces concernées sont des composants HBM4E personnalisés, que Nvidia commercialise sous la marque NVHBM et destine à ses infrastructures d'intelligence artificielle.

• Micron
• SK hynix
• Samsung

Répartition de la production des wafers et procédé interne de Samsung

Si une partie de la fabrication des wafers destinés à la NVHBM sera confiée au procédé 3 nm de TSMC, d'autres éléments des empilements mémoire seront produits dans les usines de Samsung avec la lithographie de sixième génération du groupe, baptisée procédé 1c. Samsung a déjà collaboré avec TSMC sur le packaging de puces, mais confier à TSMC la production de wafers pour une mémoire conçue par Samsung constitue une première dans l'histoire industrielle du fabricant coréen.