Samsung va sous-traiter l’intégralité de sa production de DRAM et réaffecter ses capacités internes à la mémoire à large bande passante (HBM), selon des sources internes.
D’après ces sources, l’entreprise a demandé à ses partenaires d’achever leurs lignes de production DDR5 plus tôt que prévu et prépare des investissements dans de nouvelles lignes de production externalisées. L’objectif serait de libérer des capacités internes pour les puces HBM.
Les sources internes présentent la HBM comme l’activité la plus performante de Samsung ces derniers temps et indiquent que la demande pour ce produit a progressé avec l’essor de l’intelligence artificielle et des équipements informatiques associés.

Ces mêmes sources avertissent que cette transition pourrait accentuer les tensions sur le marché de la DDR5, déjà considéré comme très tendu.
Partenaires et prochaines étapes
Samsung serait en discussion avec Dreamtech en Inde, Hanyang Digitech au Vietnam et SFA Semicon aux Philippines. Ces échanges porteraient sur l’accélération de l’achèvement des lignes DDR5 et la création de nouvelles capacités de production externalisées, afin que Samsung puisse réorienter ses usines internes vers la mémoire HBM.



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