Samsung prépare trois mémoires Z-NAND dédiées à l’IA

Samsung développerait trois variantes spécialisées de mémoire Z-NAND — Z-NAND-O, Z-NAND-T et Z-NAND-I — chacune conçue pour répondre à différentes charges de travail liées aux infrastructures d’intelligence artificielle.

ZDNet a rapporté l’information, évoquant une maquette de la Z-NAND-O présentée lors d’un événement américain consacré à l’industrie de la mémoire en août. L’article original, signé Min-jun Kim, a été publié le 12 octobre 2026.

La Z-NAND-O exploite la technologie des vias traversants en silicium (TSV) pour empiler verticalement des puces NAND sur quatre ou huit couches. Samsung indique qu’elle doit améliorer les débits de transfert et l’efficacité énergétique pour l’IA embarquée dans les appareils mobiles et d’autres équipements connectés.

La Z-NAND-T privilégie le débit et la bande passante. Elle cible les centres de données dédiés à l’IA haute performance, qui doivent déplacer efficacement de très grands volumes de données.

La Z-NAND-I privilégie quant à elle le nombre d’opérations d’entrée-sortie par seconde, un indicateur du volume d’opérations individuelles de lecture et d’écriture que la mémoire peut traiter.

Samsung n’a pas encore officiellement annoncé la gamme complète, les caractéristiques techniques ni le calendrier de lancement de ces trois variantes.

Cette approche en trois volets laisse penser que Samsung entend adapter sa technologie NAND à des charges de travail d’IA spécifiques, plutôt que de s’appuyer sur une architecture unique.

SK Hynix poursuit une stratégie similaire avec une famille AI-NAND comprenant l’AIN P pour les performances, l’AIN D pour la densité de stockage et l’AIN B pour la bande passante.

À mesure que les infrastructures d’IA se développent, la mémoire NAND sur mesure pourrait gagner en importance aux côtés des solutions conventionnelles de mémoire et de stockage.